熔融键合-环诚智能装备(成都)有限公司

HC6100

熔融键合

本设备专为SOI和POI等先进晶圆生产设计，采用等离子表面处理的低温键合技术。广泛应用于射频与无线通信、MEMS传感器、高性能数字逻辑芯片、功率与汽车电子、图像传感器及光通讯等高端领域。

键合压力

Max 50N

真空度

＜0.5mbar

对准精度

±100μm

运行次数

数千次

成品率

99%

适用晶圆

6/8/12寸

稳定运行天数

约180天

核心优势

支持定制化需求，模块化设计

洁净度高，无金属离子污染

集成等离子激活功能

支持Si、SiC、LT等异质键合

支持Si、SiC、LT等异质键合

结构紧凑，低维护成本

可选配Unit：检测单元（孔洞、均匀性、Particle等等）

可选配Unit：检测单元（孔洞、均匀性、Particle等等）

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